CF4四氟化碳
簡(jiǎn)介
四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量最大的等離子蝕刻氣體,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅,磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻,在電子器件表面清洗,太陽能電池的生產(chǎn),激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài),印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。由于四氟化碳的化學(xué)穩(wěn)定性,四氟化碳可用于金屬冶煉,例如:銅、不銹鋼,碳鋼、鋁、蒙乃爾等;還可用于塑料行業(yè);如:合成橡膠、氯丁橡膠、聚氨基甲酸乙酯。
應(yīng)用
以純四氟甲烷或者和氧氣混合的方式,用于在CVD過程之前,對(duì)二氧化硅、氮化硅、多晶硅和一些硅—金屬化合物進(jìn)行的等離子刻蝕。
四氟化碳用途
四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量最大的等離子蝕刻氣體,其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。對(duì)于硅和二氧化硅體系,采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí),通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。
在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。
由于化學(xué)穩(wěn)定性極強(qiáng),CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。
四氟化碳的溶氧性很好,因此被科學(xué)家用于超深度潛水實(shí)驗(yàn)代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功,在275米到366米的深度內(nèi),小白鼠仍可安全脫險(xiǎn)。
注意事項(xiàng)
四氟化碳是不燃性壓縮氣體。儲(chǔ)存于陰涼、通風(fēng)倉間內(nèi)。倉內(nèi)溫度不宜超過60℃。遠(yuǎn)離火種、熱源。防止陽光直射。應(yīng)與易燃或可燃物分開存放。驗(yàn)收時(shí)要注意品名,注意驗(yàn)瓶日期,先進(jìn)倉的先發(fā)用。搬運(yùn)四氟化碳時(shí)輕裝輕卸,防止鋼瓶及附件破損。泄漏時(shí),應(yīng)迅速撤離泄漏污染區(qū)人員至上風(fēng)處,并進(jìn)行隔離,嚴(yán)格限制出入。建議應(yīng)急處理人員戴自給正壓式呼吸器,穿一般作業(yè)工作服。盡可能切斷泄漏源。合理通風(fēng),加速擴(kuò)散。如有可能,即時(shí)使用。漏氣容器要妥善處理,修復(fù)、檢驗(yàn)后再用。
商品詳細(xì)介紹 |
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A colorless,nonflammable,high pressure gas.(一種無色不燃高壓氣體) |
Formula(分子式): |
CF4 |
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Molecular weight(分子量): |
88 |
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Boiling point(沸點(diǎn)): |
-78.2℃ |
-108.76°F |
Melting point(熔點(diǎn)): |
-100.7℃ |
-149.26°F |
Vapor pressure(蒸汽壓): |
13.8MPa(21.1℃) |
2000Psia(70°F) |
Specific volume(比容): |
0.27m3/kg(21.1℃,101.325KPa) |
4.4ft3/lb(70°F,14.696psia) |
UN Number(UN號(hào)碼): |
UN1982 |
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DOT Classification(DOT類別): |
2.2(Nonflammable Gas)(不燃性氣體) |
DOT Lable(DOT標(biāo)簽): |
NON-FLAMMABLE GAS(不燃性氣體) |
Grsde(級(jí)別): |
5N |
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Purity(純度): |
99.999% |
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純度 |
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Impurity(非組分): |
Specification(標(biāo)準(zhǔn)) |
Oxygen(氧): |
≤2.0 ppmv |
Nitrogen(氮): |
≤5.0 ppmv |
Carbon Dioxide(二氧化碳): |
≤0.5 ppmv |
Carbon Monoxide(一氧化碳): |
≤0.5 ppmv |
Other Organics(其他有機(jī)物): |
≤0.1 ppmv |
Water(水): |
≤1.5 ppmv |
Acidity as HF(酸化物,如氟化氫): |
≤1.0 ppmv |
包裝 |
容積 |
重量 |
連接閥門 |
小鋼瓶 |
44L 47L |
31Kg |
CGA580 CGA320 DISS716 QF-011 |
應(yīng)用:以純四氟甲烷或者和氧氣混合的方式,用于在CVD過程之前,對(duì)二氧化硅、氮化硅、多晶硅和一些硅—金屬化合物進(jìn)行的等離子刻蝕。